Technische Parameter
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
90A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
36mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.69V @ 12mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
155 nC @ 15 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3901 pF @ 800 V
Verlustleistung (max.)
400W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
