Technische Parameter
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
19A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
208mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.7V @ 5mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
23 nC @ 15 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
724 pF @ 800 V
Verlustleistung (max.)
128W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-7
Gehäuse / Hülle
TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
