Technische Parameter
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
157A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
13mOhm @ 100A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.7V @ 50mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
288 nC @ 15 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9335 pF @ 800 V
Verlustleistung (max.)
567W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
