Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
4V ~ 15V
Logikspannung - VIL, VIH
1.1V, 2.7V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
9A, 9A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
20ns, 20ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
