Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
3V ~ 5.5V
Logikspannung - VIL, VIH
1.25V, 1.6V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
4A, 6A
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
5ns, 6ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
16-SOIC