Technische Parameter
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
39A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
79mOhm @ 13.2A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
3.6V @ 3.64mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
46 nC @ 15 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1170 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.)
131W (Tc)
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TOLL
Gehäuse / Hülle
8-PowerSFN
