Technische Parameter
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
64A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
3.6V @ 9.2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
94 nC @ 15 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2900 pF @ 1000 V
Verlustleistung (max.)
272W (Tc)
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-7
Gehäuse / Hülle
TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
