Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
400 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
500mA (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
225 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252, (D-Pak)
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63