Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
280mA (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
50 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
360mW (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-236AB (SOT23)
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3