Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
240 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
200mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3