Technische Parameter
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
2.2 kOhms
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20 @ 20mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
200mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
Frequenz - übergang
250 MHz
Gehäuse / Hülle
SC-89, SOT-490
Gehäusetyp vom Lieferanten
EMT3F (SOT-416FL)
