Technische Parameter
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
1 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
10 kOhms
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
30 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
150mV @ 500μA, 5mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
Frequenz - übergang
250 MHz
Gehäusetyp vom Lieferanten
UMT3F
