Technische Parameter
Transistor-Typ
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 100μA, 100mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100nA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20000 @ 100mA, 5V
Frequenz - übergang
125MHz
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
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