Technische Parameter
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100nA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Frequenz - übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3