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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren  /  onsemi 2N5770_D27Z
2N5770_D27Z
2N5770_D27Z
Obsolete
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Beschreibung:  RF TRANS NPN 15V TO92-3
Hersteller:  onsemi
Datenblatt:   2N5770_D27Z Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 7500
Spezifikation
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Rezension
2N5770_D27Z Spezifikation
Spezifikation
Teilenummer
2N5770_D27Z
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Hersteller
onsemi
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status
Obsolete
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
15V
Frequenz - übergang
-
Rauschzahl (dB typ. bei f)
6dB @ 60MHz
Verstärkung
15dB
Leistung - Max.
350mW
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 @ 8mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
2N5770_D27Z PDF Datenblatt
2N5770_D27Z Datenblatt
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