2N5583
2N5583
Active
Beschreibung:  PNP SIL RF TO39
Hersteller:  Solid State
Datenblatt:   2N5583 Datenblatt
Geschichte Preis: $3.90000
Vorrätig: 700
2N5583 Spezifikation
Spezifikation
Teilenummer
2N5583
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Hersteller
Solid State
Reihe
-
Verpackung
Box
Status
Active
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
Transistor-Typ
PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
30V
Frequenz - übergang
1.3GHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)
-
Verstärkung
-
Leistung - Max.
1W
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
25 @ 100mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500mA
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39
2N5583 PDF Datenblatt
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2N5583 Beschreibung
Der Solid State 2N5583 ist ein leistungsstarker NPN-Transistor, der häufig in verschiedenen elektronischen Anwendungen eingesetzt wird. Er ist bekannt für seine Zuverlässigkeit und Vielseitigkeit, was ihn zu einer beliebten Wahl für Ingenieure und Entwickler macht. Der 2N5583 wird oft in Schalt- und Verstärkerschaltungen verwendet und bietet eine Reihe von Spezifikationen, die ihn für anspruchsvolle Anwendungen geeignet machen.

## Technische Spezifikationen:

- Typ: NPN-Transistor
- Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vce): 60 V, was bedeutet, dass der Transistor in Schaltungen mit höheren Spannungen eingesetzt werden kann.
- Maximale Kollektorstrom (Ic): 15 A, was eine hohe Strombelastbarkeit ermöglicht und ihn für Anwendungen mit hohem Strombedarf geeignet macht.
- Maximale Leistung (Ptot): 75 W, was eine effiziente Wärmeableitung und den Betrieb unter hohen Lastbedingungen ermöglicht.
- Verstärkungsfaktor (hFE): Typischerweise zwischen 20 und 100 bei Ic = 4 A, was eine gute Verstärkung des Eingangssignals gewährleistet.
- Gehäuse: TO-220, das eine einfache Montage und Kühlung ermöglicht, da es für die Verwendung mit Kühlkörpern ausgelegt ist.
- Temperaturbereich: Der Transistor kann in einem Temperaturbereich von -65 °C bis +150 °C betrieben werden, was ihn für verschiedene Umgebungsbedingungen geeignet macht.

## Anwendungsbereiche:

Der 2N5583 wird in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter:

- Leistungsanwendungen: Ideal für Schaltungen, die hohe Ströme und Spannungen erfordern, wie z.B. Motorsteuerungen und Netzteile.
- Verstärkerschaltungen: Verwendung in Audioverstärkern und anderen Signalverstärkern, wo eine hohe Verstärkung erforderlich ist.
- Schaltanwendungen: Einsatz in Schaltkreisen, die schnelle Schaltvorgänge erfordern, wie z.B. in Relaisansteuerungen und digitalen Schaltungen.
- Automobilanwendungen: Verwendung in Fahrzeugelektronik, wo Zuverlässigkeit und Temperaturbeständigkeit entscheidend sind.

## Fazit:

Der Solid State 2N5583 ist ein vielseitiger und leistungsstarker NPN-Transistor, der durch seine hohen elektrischen Spezifikationen und seine Robustheit besticht. Er ist eine ausgezeichnete Wahl für Ingenieure und Entwickler, die zuverlässige Komponenten für ihre elektronischen Schaltungen benötigen. Mit seiner breiten Palette an Einsatzmöglichkeiten und seiner hohen Leistungsfähigkeit ist der 2N5583 eine wertvolle Ergänzung für jede Elektronikentwicklung.
2N5583 Teile Vergleichen
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