Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.5V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
100mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
273 pF @ 10 V
FET-Merkmal
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.7W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
MicroFET 3x3mm
Gehäuse / Hülle
6-WDFN Exposed Pad
