Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
1.8V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
6 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
435 pF @ 10 V
FET-Merkmal
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
6-MicroFET (2x2)
Gehäuse / Hülle
6-VDFN Exposed Pad
