Technische Parameter
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
65 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
21 pF @ 32.5 V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
Die
