EPC8002
EPC8002
Active
Beschreibung:  GANFET N-CH 65V 2A DIE
Hersteller:  EPC
Datenblatt:   EPC8002 Datenblatt
Geschichte Preis: $3.12000
Vorrätig: 39365
EPC8002 vs EPC2308ENGRT
Teilenummer
Hersteller
Reihe
eGaN
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Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
FET-Typ
N-Channel
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Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
65 V
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Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2A (Ta)
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Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
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Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
530mOhm @ 500mA, 5V
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Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
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Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
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Vgs (Max.)
+6V, -4V
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EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
21 pF @ 32.5 V
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FET-Merkmal
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Verlustleistung (max.)
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Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
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Montagetyp
Surface Mount
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Gehäusetyp vom Lieferanten
Die
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Gehäuse / Hülle
Die
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