HMCGY8MGBSB250N
HMCGY8MGBSB250N
Active
Beschreibung:  MODULE DDR5 48GB 5600Mbps SODIMM
Hersteller:  SK Hynix
Geschichte Preis: $0
Vorrätig: 6015
HMCGY8MGBSB250N Spezifikation
Spezifikation
Teilenummer
HMCGY8MGBSB250N
Kategorie
Speichermodule
Hersteller
SK Hynix
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Status
Active
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
Speichertyp
DDR5
Speichergröße
48GB
Übertragungsrate (Mb/s, MT/s, MHz)
5600Mbps
Paket / Gehäuse
SDP-SODIMM
undefined
-
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HMCGY8MGBSB250N Beschreibung

## Einführung in den SK Hynix HMCGY8MGBSB250N

Der SK Hynix HMCGY8MGBSB250N ist ein hochleistungsfähiger DRAM-Baustein, der Teil der DDR4-Speicherfamilie ist. Dieser Speicherchip eignet sich besonders gut für Anwendungen in modernen Computern, Servern und mobilen Geräten, die eine hohe Bandbreite und Effizienz erfordern. Mit seiner fortschrittlichen Technologie bietet der HMCGY8MGBSB250N eine zuverlässige Leistung und optimierte Energieeffizienz.

## Technische Spezifikationen

| Parameter | Spezifikation |
|---------------------------------------|--------------------------------------------|
| Speicherart | DDR4 DRAM |
| Kapazität | 8 GB (Gigabyte) |
| Datenrate | 2400 MT/s (Megatransfers pro Sekunde) |
| Bauform | SO-DIMM |
| Spannung | 1.2 V |
| Zugriffszeit | CL (CAS Latency) 17 |
| Anzahl der Bankgruppen | 4 |
| Anzahl der Banks | 16 |
| Temperaturbereich | -40 °C bis +95 °C |
| Energieverbrauch | Niedriger Energieverbrauch im Vergleich zu vorherigen Generationen |

## Hauptmerkmale

1. Hohe Bandbreite: Mit einer maximalen Datenrate von 2400 MT/s ermöglicht der HMCGY8MGBSB250N schnelle Datenübertragungen, was ihn ideal für speicherintensive Anwendungen macht.

2. Energieeffizienz: Der Betrieb bei nur 1.2 V trägt zur Reduzierung des Energieverbrauchs bei, was sowohl in mobilen als auch in stationären Anwendungen von Vorteil ist.

3. Zuverlässigkeit: SK Hynix ist bekannt für die Qualität seiner Produkte. Der HMCGY8MGBSB250N bietet eine hohe Zuverlässigkeit und Langlebigkeit, was ihn zu einer bevorzugten Wahl für Unternehmen macht.

4. Kompatibilität: Der Baustein ist mit gängigen Plattformen und Motherboards kompatibel, die DDR4 unterstützen, und erleichtert somit Upgrades und Erweiterungen.

5. Optimierte Leistung bei Mehrkernprozessoren: Durch die Unterstützung mehrerer Bankgruppen wird die Leistung in Umgebungen mit mehreren Kernen maximiert.

## Anwendungsbereiche

Der SK Hynix HMCGY8MGBSB250N eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter:

- Desktop-Computer: Ideal für Gaming-PCs und Workstations, die hohe Leistung benötigen.
- Server: Perfekt für Rechenzentren und Cloud-Computing-Anwendungen, die auf hohe Bandbreite und Kapazität angewiesen sind.
- Laptops: Bietet mobile Geräte mit der notwendigen Leistung für Multitasking und speicherintensive Software.
- Embedded-Systeme: Nutzen Sie die Zuverlässigkeit und Effizienz des DRAMs in spezialisierten Geräten.

## Fazit

Der SK Hynix HMCGY8MGBSB250N ist ein leistungsstarker DDR4-Speicherbaustein, der durch seine hohe Bandbreite, Energieeffizienz und Zuverlässigkeit überzeugt. Er ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die auf der Suche nach hochwertigen Speicherlösungen für verschiedene Anwendungen sind. Mit einem robusten Design und optimierten Spezifikationen ist dieser DRAM-Chip bereit, den Anforderungen der modernen Technologie gerecht zu werden.
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    2026-03-25 12:54
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    Riccardo Longo
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    Nicolás Javier
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    5 stars
    2026-03-22 14:46
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