MT8KTF51264HZ-1G9E2
MT8KTF51264HZ-1G9E2
Obsolete
Beschreibung:  MODULE DDR3L SDRAM 4GB 204SODIMM
Hersteller:  Micron Technology
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 43300
MT8KTF51264HZ-1G9E2 Spezifikation
Spezifikation
Teilenummer
MT8KTF51264HZ-1G9E2
Kategorie
Speichermodule
Hersteller
Micron Technology
Reihe
-
Verpackung
Tray
Status
Obsolete
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
Speichertyp
DDR3L SDRAM
Speichergröße
4GB
Übertragungsrate (Mb/s, MT/s, MHz)
1866
Paket / Gehäuse
204-SODIMM
undefined
-
MT8KTF51264HZ-1G9E2 PDF Datenblatt
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MT8KTF51264HZ-1G9E2 Beschreibung
Der Micron Technology MT8KTF51264HZ-1G9E2 ist ein hochentwickelter DDR3 SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) Speicherchip, der für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen wie Computern, Servern und anderen elektronischen Geräten konzipiert wurde. Dieser Speicher bietet eine Kombination aus hoher Kapazität, Geschwindigkeit und Energieeffizienz, die ihn ideal für moderne Computing-Anforderungen macht.

## Technische Spezifikationen:

1. Speicherkapazität:
- Der MT8KTF51264HZ-1G9E2 hat eine Speicherkapazität von 4 GB (Gigabyte), was ihn für Anwendungen geeignet macht, die eine moderate bis hohe Speicherkapazität erfordern, wie z. B. Desktop-Computer, Laptops und Server.

2. Bauform:
- Der Speicherchip ist in einem kompakten SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) Gehäuse untergebracht, das eine einfache Integration in verschiedene Systeme ermöglicht. Diese Bauform ist besonders für mobile Geräte und kompakte Computer geeignet.

3. Speicherstandard:
- Der MT8KTF51264HZ-1G9E2 entspricht dem DDR3-Standard, der eine verbesserte Leistung im Vergleich zu früheren DDR-Standards bietet. DDR3 ermöglicht schnellere Datenübertragungsraten und eine höhere Bandbreite.

4. Datenrate:
- Der Chip unterstützt eine Datenrate von bis zu 1600 MT/s (Millionen Übertragungen pro Sekunde), was eine schnelle Datenverarbeitung und -übertragung ermöglicht. Diese Geschwindigkeit ist entscheidend für die Leistung von Anwendungen, die eine hohe Reaktionszeit erfordern.

5. Betriebsspannung:
- Der MT8KTF51264HZ-1G9E2 arbeitet mit einer Betriebsspannung von 1,5 V, was zu einer geringeren Wärmeentwicklung und einem niedrigeren Energieverbrauch beiträgt. Dies ist besonders wichtig für mobile und tragbare Geräte, die auf eine lange Akkulaufzeit angewiesen sind.

6. Zugriffszeiten:
- Der Speicherchip bietet niedrige Latenzzeiten, was bedeutet, dass Daten schnell abgerufen werden können. Dies ist entscheidend für die Leistung von Anwendungen, die eine schnelle Reaktionszeit erfordern.

7. Temperaturbereich:
- Der MT8KTF51264HZ-1G9E2 ist für den Betrieb in einem Temperaturbereich von 0 °C bis +85 °C ausgelegt, was ihn für den Einsatz in verschiedenen Umgebungen geeignet macht.

8. Energieeffizienz:
- DDR3-Speicherchips wie der MT8KTF51264HZ-1G9E2 sind für ihre hohe Energieeffizienz bekannt. Sie bieten im Vergleich zu früheren Generationen eine verbesserte Leistung bei gleichzeitig reduziertem Stromverbrauch.

## Anwendungsbereiche:

Der Micron Technology MT8KTF51264HZ-1G9E2 findet Anwendung in einer Vielzahl von Geräten, darunter:

- Desktop-Computer
- Laptops und Notebooks
- Server und Workstations
- Embedded-Systeme
- Gaming-Konsolen

## Fazit:

Der Micron Technology MT8KTF51264HZ-1G9E2 ist ein leistungsstarker und effizienter DDR3 SDRAM Speicherchip, der sich ideal für moderne Anwendungen in der Computertechnik eignet. Mit seiner hohen Kapazität, schnellen Datenverarbeitungsrate und robusten Bauweise ist er eine ausgezeichnete Wahl für Entwickler, die zuverlässige und leistungsfähige Speicherlösungen benötigen.
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