Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
5V ~ 40V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2.2V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1.5A, 1.5A
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
20ns, 20ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Gehäuse / Hülle
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
16-SOIC