Technische Parameter
Ausgangstyp
Tri-State, Non-Inverted
Anzahl der Bits pro Element
8
Max. Laufzeitverzögerung bei V, max. CL
14.1ns @ 3.3V, 50pF
Strom - Ausgang, HIGH/LOW
4mA, 4mA
Spannung - Versorgung
2V ~ 3.6V
Strom - Ruhestrom (Iq)
4 μA
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
20-SOIC
Gehäuse / Hülle
20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)