Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
9V ~ 12V
Logikspannung - VIL, VIH
1V, 2.4V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
2.5A, 2.5A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
115 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
12ns, 9ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC