NAND02GW3B2DN6E
NAND02GW3B2DN6E
Discontinued
Beschreibung:  IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
Hersteller:  Micron Technology
Geschichte Preis: Discontinued at Digi-Key
Vorrätig: 34600
NAND02GW3B2DN6E Spezifikation
Spezifikation
Teilenummer
NAND02GW3B2DN6E
Kategorie
Speicher
Hersteller
Micron Technology
Reihe
-
Verpackung
Tray
Status
Discontinued
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
Speichertyp
Non-Volatile
Speicherformat
FLASH
Technologie
FLASH - NAND
Speichergröße
2Gbit
Speicherorganisation
256M x 8
Speicherschnittstelle
Parallel
Taktfrequenz
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
25ns
Zugriffszeit
25 ns
Spannung - Versorgung
2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
48-TSOP
NAND02GW3B2DN6E PDF Datenblatt
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NAND02GW3B2DN6E Beschreibung
Der Micron Technology NAND02GW3B2DN6E ist ein hochleistungsfähiger NAND-Flash-Speicher, der für verschiedene Anwendungen in der Speichertechnologie entwickelt wurde. Dieser Speicherchip bietet eine Kombination aus hoher Kapazität, schneller Datenübertragung und Zuverlässigkeit, was ihn ideal für den Einsatz in mobilen Geräten, Embedded-Systemen und anderen elektronischen Anwendungen macht. Hier sind die detaillierten Spezifikationen und Merkmale des NAND02GW3B2DN6E:

## Allgemeine Spezifikationen:

- Speicherkapazität: 2 Gbit (256 MB)
- Technologie: NAND Flash, 3D NAND Technologie
- Zugriffszeit: Schnelle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten
- Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C (Industrie-Temperaturbereich)

## Speicherspezifikationen:

- Datenübertragungsrate: Bis zu 400 MB/s (im Burst-Modus)
- Seitenstruktur: 4 KB Seiten mit 128 Bytes für die Fehlerkorrektur
- Blockgröße: 128 KB pro Block
- Anzahl der Blöcke: 2048 Blöcke

## Zuverlässigkeit und Lebensdauer:

- Zyklen: Unterstützt typischerweise 3.000 bis 10.000 Programmier-/Löschzyklen pro Block
- Fehlerkorrektur: Integrierte Fehlerkorrekturmechanismen (ECC) zur Verbesserung der Datensicherheit
- Datenintegrität: Unterstützung für Wear-Leveling-Techniken zur Verlängerung der Lebensdauer des Speichers

## Schnittstellen:

- Schnittstelle: SPI (Serial Peripheral Interface) für einfache Integration in verschiedene Systeme
- Befehlsset: Unterstützt Standard-NAND-Befehle für Lese-, Schreib- und Löschoperationen

## Anwendungen:

Der Micron NAND02GW3B2DN6E ist vielseitig einsetzbar und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter:
- Mobile Geräte (Smartphones, Tablets)
- Digitale Kameras
- Embedded-Systeme
- Automotive-Anwendungen
- IoT-Geräte

## Fazit:

Der Micron Technology NAND02GW3B2DN6E ist ein leistungsstarker NAND-Flash-Speicher, der eine hervorragende Kombination aus Kapazität, Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit bietet. Mit seiner robusten Bauweise und den integrierten Fehlerkorrekturmechanismen ist er ideal für anspruchsvolle Anwendungen, die eine hohe Datensicherheit und -integrität erfordern. Die Unterstützung für gängige Schnittstellen und die breite Palette an Einsatzmöglichkeiten machen ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Entwickler, die innovative Speicherlösungen suchen.
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  • Kundenbewertungen
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    Filip Sadowski
    Poland
    5 stars
    2026-03-04 06:17
    Noch nicht getestet, sieht aber ok aus
    Teresa Król
    Poland
    5 stars
    2026-03-03 00:43
    In ein Gerät eingelötet, funktioniert gut. Lieferung in 18 Tagen.
    Jonas Petras
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    2026-03-01 21:57
    Es war schlecht verpackt, auf einem Haufen, die Beine angewinkelt.
    Teresa
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    2026-03-01 20:50
    In Ordnung, sie funktionieren perfekt.
    Szymon Górski
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    2026-02-28 07:20
    Sehr schnelle wysylka und sehr schnelle Lieferung Produkt im Einklang mit der Beschreibung und gute jakosci, gut verpackt mit koperte pecherzykowa und Folienbeuteln, empfehlen sprzedawce OK.
    Hugo Enrique
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    5 stars
    2026-02-28 02:10
    Er ist innerhalb kurzer Zeit (12 Tage) in einwandfreiem Zustand eingegangen und entspricht getreu der Beschreibung des Artikels in advertising.__Pending Prüfung.