Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
12.5V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 3.5V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
30A, 30A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
11ns, 11ns
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-5
