Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 3V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
14A, 14A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
25ns, 18ns
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC-EP
