Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 3V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
4A, 4A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
9ns, 8ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC-EP
