Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 30V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 3V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
4A, 4A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
9ns, 8ns
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DIP
