Technische Parameter
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
35A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.8 V @ 12 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
74 μA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
641.5pF @ 0V, 1MHz
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-2
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
