Technische Parameter
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
72A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
59mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 18mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
188 nC @ 20 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3672 pF @ 1000 V
Verlustleistung (max.)
520W (Tc)
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4L