Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2.8A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.5V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
85mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
10 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
405 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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