Technische Parameter
Transistor-Typ
4 NPN Darlington (Quad)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1.75A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 2.25mA, 1.5A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Betriebstemperatur
-20 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Gehäuse / Hülle
16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
16-PowerDIP (20x7.10)