Technische Parameter
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
10kOhms
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
Frequenz - übergang
250MHz
Gehäuse / Hülle
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gehäusetyp vom Lieferanten
UMT6
