Technische Parameter
Technologie
2 P-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
9A (Ta)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
18.5mOhm @ 9A, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
Leistung - Max.
150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Montagetyp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
-