Technische Parameter
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
8A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.55 V @ 8 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
160 μA @ 600 V
Kapazität bei Vr, F
291pF @ 1V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AB
Betriebstemperatur - übergang
175 ℃ (Max)
