Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
113A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4362 pF @ 75 V
Verlustleistung (max.)
273W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-2
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
