Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6.5A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.7Ohm @ 3.25A, 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
44 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
850 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur
150 ℃ (TA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 Full Pack
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