MJ10007
MJ10007
Active
Beschreibung:  TRANS NPN DARL 400V 10A TO3
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   MJ10007 Datenblatt
Geschichte Preis: $6.56000
Vorrätig: 20400
MJ10007 Spezifikation
Spezifikation
Teilenummer
MJ10007
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
NTE Electronics
Reihe
-
Verpackung
Bag
Status
Active
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
400 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2.9V @ 1A, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
250μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 2.5A, 5V
Leistung - Max.
150 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3
MJ10007 PDF Datenblatt
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MJ10007 Beschreibung
Hier ist eine ausführliche Beschreibung des NTE Electronics MJ10007, einschließlich seiner Spezifikationen und Merkmale:

## Einführung in den MJ10007

Der MJ10007 ist ein Hochleistungs-NPN-Leistungs-MOSFET, der von NTE Electronics hergestellt wird. Er ist für Anwendungen in der Leistungselektronik konzipiert und bietet eine hohe Strom- und Spannungsfestigkeit. Der MJ10007 eignet sich ideal für verschiedene Anwendungen, darunter Audioverstärker, Schaltanwendungen und Motorsteuerungen.

## Technische Spezifikationen

- Typ: NPN-Leistungs-MOSFET
- Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vce): 140 V
- Maximaler Kollektorstrom (Ic): 15 A
- Maximale Verlustleistung (Pd): 125 W
- Verstärkung (hFE): 20 bis 70 (bei Ic = 4 A)
- Schwellenspannung (Vbe): 1,2 V (typisch bei Ic = 4 A)
- Gehäusetyp: TO-3
- Betriebstemperaturbereich: -65°C bis +150°C

## Merkmale

1. Hohe Leistungsfähigkeit: Der MJ10007 ist für hohe Strom- und Spannungsanwendungen ausgelegt, was ihn ideal für leistungsstarke Schaltungen macht.

2. Robuste Bauweise: Das TO-3-Gehäuse bietet eine ausgezeichnete Wärmeableitung, wodurch der Transistor in anspruchsvollen Umgebungen stabil arbeiten kann.

3. Vielseitige Anwendungsmöglichkeiten: Dank seiner Spezifikationen ist der MJ10007 sowohl in linearen als auch in schaltenden Anwendungen einsetzbar.

4. Gute Linearität: Der Transistor zeigt eine gute linearität über einen breiten Bereich von Betriebsbedingungen, was eine präzise Steuerung ermöglicht.

5. Einfache Handhabung: Aufgrund seiner Standard-Gehäuseform ist der MJ10007 leicht in bestehende Designs zu integrieren.

## Typische Anwendungen

- Audioverstärker: Verwendung in Hochleistungsverstärkern zur Verstärkung von Audiosignalen.
- Motorsteuerungen: Ideal für die Steuerung von Gleichstrommotoren in industriellen Anwendungen.
- Schaltanwendungen: Einsatz in Schaltkreisen, wie zum Beispiel in Wechselrichtern oder Netzteilen.
- Leistungsregler: Verwendung in Regelschaltungen zur Steuerung von Leistung und Effizienz.

## Anwendungsschaltung

Zur Veranschaulichung der Funktionalität des MJ10007 könnte ein typisches Schaltbild gezeigt werden, das zeigt, wie der Transistor in einer Audioverstärkeranwendung verwendet wird.

[Hier könnte eine vereinfachte Schaltungsskizze eingefügt werden.]

## Fazit

Der MJ10007 von NTE Electronics ist ein vielseitiger und leistungsstarker NPN-Leistungs-MOSFET, der sich hervorragend für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik eignet. Mit seiner hohen Strom- und Spannungsfestigkeit sowie der robusten Bauweise ist er eine ausgezeichnete Wahl für Ingenieure und Entwickler, die auf der Suche nach zuverlässigen Lösungen für ihre Projekte sind. Für weitere Informationen und detaillierte technische Daten verweist die offizielle Datenblatt von NTE Electronics.

Wenn Sie weitere Fragen haben oder spezifische Informationen zum MJ10007 benötigen, lassen Sie es mich bitte wissen!
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