Technische Parameter
Transistor-Typ
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V @ 100μA, 100mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100nA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20000 @ 100mA, 5V
Frequenz - übergang
220MHz
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-236AB
