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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  NTE Electronics 2N6668
2N6668
2N6668
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  TRANS PNP DARL 80V 10A TO220
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   2N6668 Datenblatt
Geschichte Preis: $1.73000
Vorrätig: 500
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N6668 Spezifikation
Spezifikation
Teilenummer
2N6668
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
NTE Electronics
Reihe
-
Verpackung
Bag
Status
Active
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
Transistor-Typ
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V @ 100mA, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 @ 5A, 3V
Leistung - Max.
65 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
2N6668 PDF Datenblatt
2N6668 Datenblatt
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    2026-03-26 01:49
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    2026-03-26 00:28
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    Stijn van der Molen
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    Alles in gutem Zustand erhalten, danke!
    Nathan Coleman
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    Rds(on) entspricht den Datenblättern
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    Profil | E-Mail: support@octopart.ca
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