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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  NTE Electronics 2N6668
2N6668
2N6668
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  TRANS PNP DARL 80V 10A TO220
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   2N6668 Datenblatt
Geschichte Preis: $1.73000
Vorrätig: 500
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N6668 vs 2N6673
Teilenummer
2N6668
2N6673
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
NTE Electronics
Microchip Technology
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
PNP - Darlington
-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
-
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V @ 100mA, 10A
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 @ 5A, 3V
-
Leistung - Max.
65 W
-
Frequenz - übergang
-
-
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
-
Montagetyp
Through Hole
-
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
-
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
-
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