Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
16 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
100 pF @ 12 V
Verlustleistung (max.)
568mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-143
Gehäuse / Hülle
TO-253-4, TO-253AA
