Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3.4A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
3.5 nC @ 5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
205 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
