Technische Parameter
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
2.2 nC @ 5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
238 pF @ 40 V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
Die
