Spezifikation
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzelne FETs, MOSFETs
Reihe
Automotive, AEC-Q101, eGaN
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Einhaltung von Umweltvorschriften
Technische Parameter
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
18A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
4 nC @ 5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
415 pF @ 50 V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
Die