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EPC2100
EPC2100
Active
Transistoren - FETs, MOSFETs - FET- und MOSFET-Arrays
Beschreibung:  GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Hersteller:  EPC
Datenblatt:   EPC2100 Datenblatt
Geschichte Preis: $6.62000
Vorrätig: 27590
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
EPC2100 Spezifikation
Spezifikation
Teilenummer
EPC2100
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller
EPC
Reihe
eGaN
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
Technologie
2 N-Channel (Half Bridge)
Konfiguration
GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Merkmal
30V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
10A (Ta), 40A (Ta)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Vgs(th) (max.) bei Id
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
Leistung - Max.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Montagetyp
Die
Gehäuse / Hülle
Die
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
EPC2100 PDF Datenblatt
EPC2100 Datenblatt
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    Kundenbewertungen
    4,95 von 5,00 Sternen aus 142 Kundenbewertungen aus aller Welt
    Clara Beatriz
    Spain
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