Technische Parameter
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
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Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
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Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
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Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
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EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
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Gehäusetyp vom Lieferanten
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