EPC2037
EPC2037
Active
Beschreibung:  GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Hersteller:  EPC
Datenblatt:   EPC2037 Datenblatt
Geschichte Preis: $1.28000
Vorrätig: 2400
EPC2037 Spezifikation
Spezifikation
Teilenummer
EPC2037
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzelne FETs, MOSFETs
Hersteller
EPC
Reihe
eGaN
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1.7A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 80μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.12 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
+6V, -4V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
14 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
Die
Gehäuse / Hülle
Die
EPC2037 PDF Datenblatt
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EPC2037 Beschreibung
Der EPC EPC2037 ist ein hochentwickelter GaN (Gallium Nitride) FET (Field Effect Transistor), der für Anwendungen in der Leistungselektronik konzipiert wurde. Dieser Transistor bietet eine hervorragende Leistung in Bezug auf Effizienz, Schaltgeschwindigkeit und thermische Eigenschaften, was ihn ideal für moderne Anwendungen in der Energieumwandlung, wie z.B. in DC-DC-Wandlern, Ladegeräten und anderen Hochfrequenzanwendungen, macht. Im Folgenden sind die detaillierten Spezifikationen und Merkmale des EPC2037 aufgeführt.

## Allgemeine Informationen

- Hersteller: EPC (Efficient Power Conversion Corporation)
- Modell: EPC2037
- Typ: GaN FET
- Gehäuse: LGA (Land Grid Array)

## Technische Spezifikationen

- Maximale Drain-Source-Spannung (V_DS): 40 V
- Maximaler Drain-Strom (I_D): 10 A (kontinuierlich)
- R_DS(on): 20 mΩ (bei V_GS = 10 V)
- Schaltgeschwindigkeit: Extrem hoch, typischerweise im Bereich von Nanosekunden
- Maximale Gate-Spannung (V_GS): ±20 V
- Temperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
- Energieverlust beim Schalten: Gering, was zu einer hohen Effizienz führt

## Merkmale

- Hohe Effizienz: Der EPC2037 bietet eine sehr niedrige On-Resistance, was zu minimalen Verlusten während des Betriebs führt und die Effizienz der Schaltung erhöht.
- Kompakte Bauweise: Das LGA-Gehäuse ermöglicht eine kompakte Integration in verschiedene Designs, was besonders in Anwendungen mit begrenztem Platzangebot von Vorteil ist.
- Hohe Schaltgeschwindigkeit: Die GaN-Technologie ermöglicht extrem schnelle Schaltvorgänge, was die Leistung von Schaltungen in Hochfrequenzanwendungen verbessert.
- Thermische Leistung: Der Transistor kann hohe Temperaturen bewältigen, was ihn für anspruchsvolle Anwendungen geeignet macht.

## Anwendungen

- DC-DC-Wandler: Verwendung in Hochleistungs-DCDC-Wandlern, die eine hohe Effizienz und kompakte Bauweise erfordern.
- Ladegeräte: Ideal für schnelle Ladegeräte, die eine hohe Leistung bei geringer Größe bieten müssen.
- Induktive Lasten: Einsatz in Anwendungen, die induktive Lasten steuern, wie z.B. Motorsteuerungen.
- RF-Anwendungen: Verwendung in Hochfrequenzverstärkern und anderen RF-Anwendungen, die schnelle Schaltvorgänge erfordern.

## Fazit

Der EPC EPC2037 ist ein leistungsstarker und effizienter GaN FET, der sich durch seine hohe Effizienz, schnelle Schaltgeschwindigkeit und thermische Robustheit auszeichnet. Mit seinen umfangreichen Spezifikationen und der kompakten Bauweise ist er eine hervorragende Wahl für moderne Anwendungen in der Leistungselektronik, insbesondere in Bereichen, in denen Effizienz und Platzersparnis von entscheidender Bedeutung sind. Der EPC2037 stellt eine zukunftssichere Lösung für Entwickler dar, die innovative und leistungsstarke elektronische Systeme entwerfen möchten.
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